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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-33:B TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于对数据处理速度和系统稳定性有较高要求的电子设备中。 该型号主要适用于以下应用场景: 1. 网络与通信设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存和临时数据存储,以提升数据传输效率和系统响应速度。 2. 工业控制与自动化系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、工控机等设备中作为主存储器,支持复杂程序运行和实时数据处理。 3. 嵌入式系统:适用于需要高可靠性和稳定性能的嵌入式平台,如智能终端、POS机、医疗设备等。 4. 消费类电子产品:部分高端多媒体设备或智能家电也可能采用此类内存,以提升整体运行性能和用户体验。 5. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,满足汽车环境下的高稳定性与宽温工作要求。 该产品具有较高的容量密度和频率特性,适合需要大容量缓存和快速访问的应用场景,同时具备良好的兼容性与可靠性,适应多种复杂工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 3.3NS UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-33:B TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3.3ns |